Floridalik IT-mutaxassislar firibgarlar masofadan turib quvvatlagichni buzadigan va qurilmani 280°C dan yuqori haroratda qizituvchi elektromagnit shovqin yaratishi mumkinligini aniqladi.

“VoltSchemer” deb nomlangan hujumning mohiyati shundaki, xaker quvvatlagichning ishlashiga ta’sir qiluvchi elektromagnit shovqinlarni yaratishi mumkin. Bu unga smartfonga beriladigan kuchlanishni boshqarish va o‘zgartirish imkonini beradi.

Xaker “VoltSchemer”dan ikki maqsadda foydalanishi mumkin: ovozli buyruqlarni kiritish yoki smartfonni qizib ketishi.

Birinchi holda, u smartfonda ovozli yordamchini faollashtirishi va uni turli xil harakatlarni, masalan, xabarlar yuborish, qo‘ng‘iroq qilish, xarid qilish va boshqa ko‘p narsalarni bajarishi mumkin.

Ikkinchi holda, u smartfonni shunday darajada qizdirishi mumkinki, u ishlamay qolishi yoki hatto portlashi mumkin.
Tadqiqotchilar simsiz quvvatlagich qurilmalarning to‘qqizta mashhur modelida tajriba o‘tkazdilar va barcha quvvatlovchi qurilmalarda “VoltSchemer” uchun zaif bo‘lgan qurilma kamchiliklari borligini aniqladilar. O‘z da’volarini isbotlash uchun tadqiqotchilar “Samsung Galaxy S8” smartfonini Selsiy bo‘yicha 352,4°C darajagacha qizdirishdi, bu “Qi” simsiz zaryadlashning xavfsizlik chegarasidan sezilarli darajada oshib ketadi, ya’ni 280°C darajagacha.

• Kompyuter
• xaker